聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法
摘要:
本申请涉及聚合物转化可控碳改性SiC陶瓷靶材的制备方法,包括:以聚碳硅烷为前驱体,经交联固化,高温裂解生成无机陶瓷,通常有残余的自由碳存在,高温裂解使自由碳石墨化程度提高;经球磨将高温裂解产物与微米级碳化硅粉体混合;结合放电等离子体烧结技术得到碳化硅陶瓷靶材。本申请实施例中得到的碳化硅陶瓷靶材致密度高,纯度高,电导率可调,在功率器件和微波射频器件领域具有广泛应用,此外方法操作简单,能耗低,适用范围广。
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