Invention Grant
- Patent Title: 含硫杂环基荧光材料及其制法与在WLED器件制备中的应用
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Application No.: CN202211539922.0Application Date: 2022-12-02
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Publication No.: CN115806678BPublication Date: 2023-08-29
- Inventor: 黄坤林 , 林冲 , 陈新
- Applicant: 重庆师范大学
- Applicant Address: 重庆市沙坪坝区大学城中路37号
- Assignee: 重庆师范大学
- Current Assignee: 重庆师范大学
- Current Assignee Address: 重庆市沙坪坝区大学城中路37号
- Agency: 重庆市前沿专利事务所
- Agent 肖秉城; 郭云
- Main IPC: C08G83/00
- IPC: C08G83/00 ; C09K11/06 ; H10K50/11 ; H10K85/30
Abstract:
本发明提供了一种含硫杂环基荧光材料,其化学通式为[Zn(tpd)(tztp)]n,属于三斜晶系,空间群为Pī,晶胞参数所述化学通式中,两种有机组分都有富电子的含硫杂环,组分tpd2‑是刚性的二元有机羧酸H2tpd脱去2个质子所得,所述H2tpd和tztp结构如下式所示,该材料的空间结构中,含硫杂环的两种有机组分分别与Zn2+桥联和螯合配位,形成了一维配位聚合链中,其中tztp位于链的同侧,通过tztp芳环之间较强的超分子作用,形成了二维的超分子聚合层,并进一步通过2D+2D堆叠形成3D超分子聚集体;其产率可达67%,具有良好的热稳定性;在激发下,该荧光材料在562nm处发射黄色荧光,荧光波长范围450~740nm,涵盖三基色RGB波段,可以用于制备发射正白光的LED器件。
Public/Granted literature
- CN115806678A 含硫杂环基荧光材料及其制法与在WLED器件制备中的应用 Public/Granted day:2023-03-17
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