发明授权
- 专利标题： 掩模版及其制备方法
-
申请号： CN202310109271.X申请日： 2023-02-13
-
公开(公告)号： CN115826348B公开(公告)日： 2023-10-24
- 发明人: 季明华 , 黄早红
- 申请人： 上海传芯半导体有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄1号楼5楼南侧
- 专利权人： 上海传芯半导体有限公司
- 当前专利权人： 上海传芯半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄1号楼5楼南侧
- 代理机构： 上海思捷知识产权代理有限公司
- 代理商 汪春艳
- 主分类号： G03F1/26
- IPC分类号： G03F1/26 ; G03F1/28 ; G03F1/36 ; G03F1/38
摘要：
本发明提供了一种掩模版及其制备方法。该掩模版中设置有至少两层相位移层，通过对相位移层进行灵活的组合搭配以形成相位移量不同的多种相位移区，从而满足不同掩模图案对相位移量的需求，提高图形的对比度，并且还有利于规避相邻区域之间出现相位移量的超大跨度的直接变化，进而改善由此引发的“鬼影”的问题。此外，还能够降低OPC修正的难度，有效改善小尺寸、高密度的掩模图案容易受到空间限制而难以进行OPC修正的问题。
公开/授权文献
- CN115826348A 掩模版及其制备方法 公开/授权日：2023-03-21
