- 专利标题: 一种不同硅价态的SiOx原位包覆纳米硅负极材料及其制备方法和应用
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申请号: CN202211655581.3申请日: 2022-12-22
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公开(公告)号: CN115832307A公开(公告)日: 2023-03-21
- 发明人: 王志兴 , 崔洪旗 , 郭华军 , 颜果春 , 王接喜 , 李新海 , 彭文杰
- 申请人: 中南大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
- 专利权人: 中南大学
- 当前专利权人: 中南大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
- 代理机构: 长沙轩荣专利代理有限公司
- 代理商 汪金连
- 主分类号: H01M4/62
- IPC分类号: H01M4/62 ; H01M4/38 ; H01M10/0525 ; B82Y30/00
摘要:
本发明提供了一种不同硅价态的SiOx原位包覆纳米硅负极材料及其制备方法和应用。本发明以纳米硅做为原料,在马弗炉中进行热氧化反应,通过控制反应温度及反应时间制备出具有不同硅价态的SiOx包覆层(SiO2、SiO1.5、SiO中的一种或多种),不同硅价态的SiOx包覆层电化学性能差异巨大,低价态的SiOx包覆层(SiO1.5、SiO)具有电化学活性,从而优化Si@SiOx负极材料的电化学性能与力学性能。本发明制备流程简单,材料一致性良好,使硅材料的容量得以充分发挥。