本发明公开了一种栅极电压自动闭环调节的高压共源共栅结构，包括多个常开型半导体器件、雪崩二极管、N沟道耗尽型MOSFET、钳位二极管、电阻和电容等。单个常开型半导体器件驱动电路包含由一个N沟道耗尽型MOSFET、两个电阻和一个电容构成的栅极电压自动闭环调节电路，该闭环调节电路能够自动调节其栅极电压，使得多个常开型半导体器件共源共栅串联时栅极电压保持一致，且其栅极电压稳态值可以进行配置；保障各个器件驱动时的一致性、增强了驱动能力，且提升了共源共栅电路在串联级数和电压等级上的拓展能力。