Invention Grant
- Patent Title: 一种超导量子芯片制备用保护层及超导量子芯片
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Application No.: CN202310093192.4Application Date: 2023-02-10
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Publication No.: CN115835768BPublication Date: 2023-05-30
- Inventor: 吴艳伏 , 丁增千 , 冯加贵 , 熊康林 , 杨丽娜
- Applicant: 材料科学姑苏实验室
- Applicant Address: 江苏省苏州市工业园区若水路388号
- Assignee: 材料科学姑苏实验室
- Current Assignee: 材料科学姑苏实验室
- Current Assignee Address: 江苏省苏州市工业园区若水路388号
- Agency: 北京品源专利代理有限公司
- Agent 赵颖
- Main IPC: H10N60/80
- IPC: H10N60/80
Public/Granted literature
- CN115835768A 一种超导量子芯片制备用保护层及超导量子芯片 Public/Granted day:2023-03-21
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