本申请涉及一种三元前驱体，所述三元前驱体的一次颗粒或晶须沿径向分布；所述三元前驱体的晶体形变层错率fD≤2.5％，所述晶体形变层错率fD如下式计算:fD＝0.1552×B(101)–0.03233×B(102)–0.4399/D(001)，其中，B(101)是所述三元前驱体101晶面的X射线衍射谱半峰宽，B(102)是所述三元前驱体102晶面的X射线衍射谱半峰宽，D(001)是所述三元前驱体001晶面的X射线衍射谱半峰宽，单位：度。本申请还涉及一种三元前驱体的制备方法，以及三元正极材料、二次电池、电池模块、电池包和用电装置。