发明公开
- 专利标题: 一种n型半导体光阳极及其制备方法与应用
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申请号: CN202211484270.5申请日: 2022-11-24
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公开(公告)号: CN115849449A公开(公告)日: 2023-03-28
- 发明人: 胡宗倩 , 张成 , 郑旭超 , 李刚勇
- 申请人: 中国人民解放军军事科学院军事医学研究院
- 申请人地址: 北京市海淀区太平路27号
- 专利权人: 中国人民解放军军事科学院军事医学研究院
- 当前专利权人: 中国人民解放军军事科学院军事医学研究院
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区太平路27号
- 代理机构: 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 王春霞
- 主分类号: C01G41/02
- IPC分类号: C01G41/02 ; C03C17/23 ; B82Y30/00 ; B01J27/135
摘要:
本发明公开了一种n型半导体光阳极及其制备方法与应用。所述光阳极的制备方法包括如下步骤:S1、将仲钨酸铵的水溶液中加入盐酸和双氧水作为前体溶液;S2、将前体溶液和FTO加入至高压反应釜中,经水热反应在所述FTO上得到WO3纳米棒,经退火得到WO3/FTO;S3、将WO3/FTO和乙二醇水溶液加入至高压反应釜中,经水热反应在WO3纳米棒的表面形成氧空位,即得到WO3‑x/FTO光阳极。以本发明WO3‑x/FTO光阳极为光阳极,以BOD/PIX/CNTs/CC、原卟啉(PIX)、碳纳米管功能化的碳布为生物阴极,能够构建一种基于水/氧循环系统的新型BPECs,BPECs表现出卓越的运行稳定性,在封闭环境下连续放电36000次后,其原始功率仍有97%,这由WO3‑x表面合理设计的Ov所带来的增强的反应动力学和结构稳定性。
公开/授权文献
- CN115849449B 一种n型半导体光阳极及其制备方法与应用 公开/授权日:2024-08-16
IPC分类: