本发明属于陶瓷连接技术领域，特别涉及一种在超低温条件下制备SiC陶瓷连接件的方法与应用。该方法是将纳米级碳化硅粉体在900‑1200℃热处理1‑8小时后得到表面氧化的SiC颗粒，将氧化后的SiC粉体与碱性溶液混合均匀得到液态连接材料，将液态连接材料均匀涂覆在表面抛光后的SiC陶瓷块体上，然后将两块涂覆有液态连接材料的SiC陶瓷块体贴合在一起，形成SiC陶瓷‑连接材料‑SiC陶瓷夹层结构的预制连接件；在100‑300MPa的压力下将预制连接件经过250‑350℃保温10‑60min降至常温后，再次在相同压力下升温至500‑800℃保温10‑80min，得到SiC陶瓷连接件。