发明授权
- 专利标题: 一种自修复INS膜及其制备方法
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申请号: CN202211391707.0申请日: 2022-11-08
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公开(公告)号: CN115871283B公开(公告)日: 2023-08-04
- 发明人: 黄德林 , 殷廷
- 申请人: 锦美星灿新材料(安徽)有限公司
- 申请人地址: 安徽省安庆市迎江区迎江经济开发区东坤创新科技产业园1#楼五层003室
- 专利权人: 锦美星灿新材料(安徽)有限公司
- 当前专利权人: 锦美星灿新材料(安徽)有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省安庆市迎江区迎江经济开发区东坤创新科技产业园1#楼五层003室
- 代理机构: 浙江维创盈嘉专利代理有限公司
- 代理商 胡根平
- 主分类号: B32B3/08
- IPC分类号: B32B3/08 ; B32B7/12 ; B32B27/30 ; B32B27/36 ; B32B27/32 ; B32B27/18 ; B32B27/06 ; B32B37/12 ; B32B37/06 ; B32B37/10 ; C08L33/12 ; C08L67/02 ; C08L23/12 ; C08L69/00 ; C08L5/08 ; C08L79/02 ; C08K9/10 ; C08K3/22 ; C08J5/18
摘要:
本发明提供一种自修复INS膜及其制备方法,所述自修复INS膜包括:表面层、图案层、粘合层和底材层,所述表面层包括:第一自修复层,其包括原料:聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯和聚丙烯;第二自修复层,其内设置修复剂,所述第二自修复层位于所述第一自修复层的下侧,当所述修复剂被释放时,所述修复剂能够对所述表面层中的缺陷进行修复,本发明所述的自修复INS膜及其制备方法具有结构简单、易于制备,且能够对其中产生的裂纹等缺陷进行自修复、实现自愈合的优点。
公开/授权文献
- CN115871283A 一种自修复INS膜及其制备方法 公开/授权日:2023-03-31