发明公开
- 专利标题: 一种NAND闪存器件的缺陷修复方法
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申请号: CN202111130162.3申请日: 2021-09-26
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公开(公告)号: CN115881201A公开(公告)日: 2023-03-31
- 发明人: 丁知民 , 马庆容 , 楼冰泳 , 满佳喜
- 申请人: 上海江波龙微电子技术有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云汉路979号2楼
- 专利权人: 上海江波龙微电子技术有限公司
- 当前专利权人: 上海江波龙微电子技术有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云汉路979号2楼
- 代理机构: 深圳市威世博知识产权代理事务所
- 代理商 何倚雯
- 主分类号: G11C29/00
- IPC分类号: G11C29/00 ; G11C29/44
摘要:
一种NAND闪存器件的缺陷修复方法,包括:从所述NAND闪存器件的多个块、多个数据列和多个冗余列中识别有缺陷的块、数据列和冗余列,生成缺陷地图;根据所述缺陷地图确定所述NAND闪存器件中是否存在有缺陷的块和可用于修复的冗余列;当所述NAND闪存器件中存在有缺陷的块和可用于修复的冗余列时,确定是否存在可以进行坏列淘汰处理的有缺陷的块;根据基于所述缺陷地图计算得到的块权重,选择优先进行坏列淘汰处理的有缺陷的块;对选中的有缺陷的块的块内坏列进行坏列淘汰处理;所述坏列淘汰处理包括:对于所述选中的有缺陷的块中的有缺陷的数据列,使用至少在所述选中的有缺陷的块中不属于坏列的冗余列来替换所述有缺陷的数据列。