- 专利标题: 一种铜掺杂的HfSe2二维材料的制备方法及其应用
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申请号: CN202310015266.2申请日: 2023-01-03
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公开(公告)号: CN115893332B公开(公告)日: 2023-08-15
- 发明人: 蒋远东 , 张晓星 , 黎大健 , 曾嘉 , 唐彬 , 刘陈瑶 , 张磊 , 李锐 , 朱立平 , 喻敏 , 田双双 , 张引 , 刘本立
- 申请人: 湖北工业大学 , 广西电网有限责任公司电力科学研究院
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区南李路28号;
- 专利权人: 湖北工业大学,广西电网有限责任公司电力科学研究院
- 当前专利权人: 湖北工业大学,广西电网有限责任公司电力科学研究院
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区南李路28号;
- 代理机构: 北京保识知识产权代理事务所
- 代理商 赵亮
- 主分类号: C01B19/04
- IPC分类号: C01B19/04 ; G01N27/12
摘要:
本发明公开了一种铜掺杂的HfSe2二维材料的制备方法及其应用,本发明利用化学气相输运法制备了铜掺杂的HfSe2二维材料,研究结果表明,铜掺杂的HfSe2二维材料作为气敏材料能够有效提高对硫化氢的检测灵敏度,在吸附硫化氢前后,该材料的电导率会发生明显改变,表明该材料对硫化氢的灵敏度较高,同时兼具良好的解吸特性。将其应用于电阻型硫化氢气体传感器时兼具优秀的灵敏度和解吸性能,且在常温下恢复时间理想,这有利于其在常温下循环再利用。通过对制得的电阻型硫化氢传感器传感性能的测试,结果得到,该电阻型硫化氢气体传感器用于硫化氢的室温响应,硫化氢的检测浓度为0.5ppm~100ppm,最低检测浓度为0.5ppm。
公开/授权文献
- CN115893332A 一种铜掺杂的HfSe2二维材料的制备方法及其应用 公开/授权日:2023-04-04