本发明提供了一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法，包括如下步骤：将微米级碳化硅粉、烧结助剂、诱导剂、造孔剂、抑制剂与表面改性剂于水中混合得到浆料，对浆料进行喷雾干燥得到碳化硅球形粉体；将所述碳化硅球形粉体与粘结剂混合并干燥后挤出成型，获得生坯；将生坯于2200℃‑2450℃烧结即得；所述诱导剂包括铝粉、氧化铝、氧化铈、氧化铟、氧化钇中的一种；所述抑制剂为碳化铟和碳化钽；所述诱导剂的加入量为0.2‑3％；所述抑制剂的加入量为0.1‑2％；所述抑制剂中碳化铟与碳化钽的重量比为1：1‑3。