本发明公开一种提高Cu‑Ni‑Sn合金耐磨性和导电性的方法，涉及微电子集成电路互连技术领域；通过磁控溅射将Cu‑Ni‑Sn合金制备为薄膜，通过调控磁控溅射功率、沉积时间和氩气流量等参数可制备出不同应用需求多种不同成分的Cu‑Ni‑Sn均匀组合薄膜，本发明所得薄膜中各元素的重量百分比Cu 75~80%，Ni 10~20%，Sn 0.9~10%。本发明采用高通量6靶磁控溅射薄膜共沉积制备技术，使得合金薄膜具有低的电阻率和较高的抗电迁移能力，且相较于铝基合金薄膜作为互连线材料具有宽的钝化区间和低的钝化电流密度，这进一步实现了组合薄膜综合性能的极大优化；本发明的Cu‑Ni‑Sn合金薄膜完全满足极大规模集成电路互连领域对铜合金薄膜的使用要求。