本发明公开了一种死区时间的计算方法、装置、电子设备及存储介质，其方法包括：获取半桥电路中关于增强型氮化镓的电流信息，根据所述电流信息，确定所述半桥电路的主管和同步管，调节所述主管和同步管的开关状态，得到不同开关状态下所述增强型氮化镓的参数和所述半桥电路的参数，将所述增强型氮化镓的参数和所述半桥电路的参数输入预设的计算模型，计算得到所述主管和同步管在不同开关状态下对应的最优死区时间。有利于解决现有的死区时间计算方法存在成本高且不易实现的缺陷的技术问题，提高了死区时间的计算效率。