本发明公开了一种双有符号操作数非易失性存算一体单元、阵列及运算方法，非易失性存算一体单元包括：第一忆阻器单元、第二忆阻器单元与反相器；第一忆阻器单元分别与位线、字线以及源线连接；第二忆阻器单元分别与反相器的输出端、字线以及源线连接；反相器的输入端与位线连接，用于对输入至第二忆阻器单元的电平进行反相；第一忆阻器单元与第二忆阻器单元用于根据权重存储数据与位线输入的输入数据控制源线的电流方向；若源线的电流方向为第一方向时，则输入数据与权重存储数据的乘积结果为+1，若源线的电流方向为第二方向时，则乘积结果为‑1，若源线无电流输出，则乘积结果为0。(56)对比文件陈鑫辉 等.基于忆阻器的多模式识别CNN电路设计《.实验技术与管理》.2022,第39卷(第10期),75-79+85.赵益波 等.基于忆阻器卷积神经网络的表情识别《.电子测量技术》.2022,第45卷(第16期),93-101.沈林耀 等.一种面向忆阻器加速器的神经网络模型压缩框架《.微电子学与计算机》.2021,第38卷(第8期),20-27.Fatemeh Kiani 等.All Hardware-BasedTwo-Layer Perceptron Implemented inMemristor Crossbar Arrays《.2021 IEEEInternational Symposium on Circuits andSystems (ISCAS)》.2021,1-5.Georgios Papandroulidakis 等.Practical Implementation of Memristor-Based Threshold Logic Gates《.IEEETransactions on Circuits and Systems I:Regular Papers 》.2019,第66卷(第8期),3041- 3051.程晓东 等.荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性分析《.电子测试》.2020,(第17期),58-60.