一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括氮化物鳍结构(fin structure)、氮化物半导体层、掺杂III‑V半导体层以及栅电极。氮化物鳍结构包括多个沿着第一方向配置的鳍片，且鳍片各自沿着第二方向延伸，其中第一方向与第二方向相异，氮化物鳍结构包括第一氮化物化合物。氮化物半导体层覆盖鳍片，并包括第二氮化物化合物，其中第二氮化物化合物的带隙大于第一氮化物化合物的带隙。掺杂III‑V半导体层，设置在氮化物鳍结构上，并至少具有第一部分以及第二部分，且鳍片位在第一部分与第二部分之间。栅电极设置在氮化物鳍结构上。