- 专利标题: 一种Li-Mg-Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法
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申请号: CN202211240981.8申请日: 2022-10-11
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公开(公告)号: CN115947600B公开(公告)日: 2023-07-21
- 发明人: 李元勋 , 李馥余 , 韩莉坤 , 刘新研 , 陆永成 , 廖宇龙 , 文岐业
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 电子科技大学专利中心
- 代理商 闫树平
- 主分类号: C04B35/495
- IPC分类号: C04B35/495 ; C04B35/622
摘要:
本发明属于功能陶瓷材料技术领域,具体涉及一种Li‑Mg‑Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法,分子式为Li2Mg2‑xNa2xMo3O12,具有超低的烧结温度和高Q×f值,可同时作为微波和太赫兹极化选择器的基板材料。本发明采用固相反应法实现了Na+对Li2Mg2Mo3O12中Mg2+的纯相取代,获得了出色的微波介电性能(εr=7.9,Q×f=43844GHz,τf=‑48.3ppm/℃)和太赫兹传输性能(εr1=7.4,tanσ1=0.0158,Tcoefficient=0.598)。利用化学相容性良好的Ag浆和Li2Mg1.94Na0.12Mo3O12陶瓷材料分别在9.7GHz和0.45THz下设计了圆极化和线极化的极化选择器件,其微波和太赫兹器件的归一化极化选择差异分别为0.876和0.523。本发明很好的解决了介电陶瓷和ULTCC技术在微波和太赫兹应用中存在的问题。
公开/授权文献
- CN115947600A 一种Li-Mg-Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法 公开/授权日:2023-04-11
IPC分类: