发明授权
- 专利标题: 一种粗碘低温制备碘单晶的方法及碘单晶
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申请号: CN202310240119.5申请日: 2023-03-14
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公开(公告)号: CN115948799B公开(公告)日: 2023-05-12
- 发明人: 杨阳 , 姚永毅 , 彭一丁 , 吕俊华 , 唐宁 , 张豫红
- 申请人: 四川科宏达集团有限责任公司 , 成都科宏达科技有限公司
- 申请人地址: 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区益州大道北段777号1栋1单元5层506号、507号、508号;
- 专利权人: 四川科宏达集团有限责任公司,成都科宏达科技有限公司
- 当前专利权人: 成都科宏达化学有限责任公司,成都科宏达科技有限公司
- 当前专利权人地址: 610000 四川省成都市新津区花源街道杨柳大道11号4栋21层
- 主分类号: C30B29/02
- IPC分类号: C30B29/02 ; C30B23/00 ; B02C19/06
摘要:
本发明公开了一种粗碘低温制备碘单晶的方法及碘单晶,属于碘提纯技术领域。包括以下步骤:将超微粉粗碘置于加热罐中,在20‑60℃、气流的条件将加热罐中的粗碘升华为碘蒸气,再利用气流将碘蒸气输送至冷却罐,碘蒸气在冷却罐中冷却结晶生成碘单质。本发明采用气流粉碎机对粗碘进行粉碎,同时气流粉碎机中带出的气流带动升华的碘蒸气输入至冷却罐中,气流粉碎机可同时达到粉碎和输送的目的,无需额外增设风量,降低能耗,同时缩短制备时间约2倍以上,可大大提升精制碘的产能。
公开/授权文献
- CN115948799A 一种粗碘低温制备碘单晶的方法及碘单晶 公开/授权日:2023-04-11