本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种高压双向可控硅静电放电保护器件及其制备方法，包括：在P型外延层内包括中心单元、第一侧单元和第二侧单元；中心单元包括在N+区、P+区以及场氧化层下方设置第一P阱以及包围第一P阱的第一深P阱区，第一深P阱区的浓度小于第一P阱的浓度；第一侧单元均包括N阱和深N阱区，深N阱区包围N阱，每个深N阱区均与第一深P阱区接触，深N阱区的浓度小于N阱的浓度；每个第二侧单元均包括第二P阱以及包围第二P阱的第二深P阱区，每个第二深P阱区均和与之相邻的深N阱区接触，第二深P阱区的浓度小于第二P阱的浓度。本发明提供的高压双向可控硅静电放电保护器件能够实现触发电压适应性调整。