本发明涉及一种用于制备小损耗超高压交流瓷介电容器的介质材料及其制备方法。该介质材料由原料包括BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、Bi2O3·2TiO2、SrBi2Nb2O9、BiNaTi2O6、Nb2O5、ZrO2、ZnO、Bi2O3和MnCO3制备。本发明提供的材料的交流绝缘强度＞7kv/mm，介电常数不低于1800，介电损耗＜15×10‑4、体积电阻率＞1012Ω·cm，这些电性能的提高为生产优异的超高压交流瓷介电容器奠定了良好的基础，能够满足电力系统、脉冲功率、航空航天、激光武器等对电容器的要求。