本发明涉及一种高中子吸收效率的铜基复合材料的制备方法。将Cu‑B合金雾化成直径为30‑50μm的Cu‑B雾化粉末，对Cu‑B雾化粉末进行球磨，过筛，将球磨后的Cu‑B雾化粉末采用等静压压制成块体，置于真空烧结炉中，无压烧结，然后在炉中缓冷，得到B弥散强化铜基复合材料；本发明得到的铜基复合材料硬度高达3.04GPa，弹性模量高达108GPa。铜基复合材料晶体结构B与Cu基体之间均存在共格界面，中子吸收性能可达90％以上，兼具高中子吸收效率、高机械性能，满足核工业的需求。