发明授权
- 专利标题: 晶圆键合衬底减薄方法
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申请号: CN202310148327.2申请日: 2023-02-22
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公开(公告)号: CN115985821B公开(公告)日: 2023-08-22
- 发明人: 杨国文 , 惠利省 , 白龙刚
- 申请人: 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区金鸡湖大道99号东北区32幢
- 专利权人: 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司
- 当前专利权人: 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区金鸡湖大道99号东北区32幢
- 代理机构: 北京超凡宏宇专利代理事务所
- 代理商 宋南
- 主分类号: H01L21/67
- IPC分类号: H01L21/67 ; H01L21/304
摘要:
本发明提供了一种晶圆键合衬底减薄方法,涉及半导体产品制备的技术领域,晶圆键合衬底减薄方法包括步骤:提供一衬底和一晶圆,所述衬底具有与晶圆贴合的圆形的端面;在端面上粘贴环形的吸蜡滤纸,所述吸蜡滤纸与端面同轴,且所述吸蜡滤纸的外径小于端面的直径,所述吸蜡滤纸与端面外沿之间形成复合蜡区;将衬底加热至第一温度范围内,将第一蜡施蜡于复合蜡区,并固化第一蜡;将衬底加热至第二温度范围内,且第二温度范围的最高温度小于第一温度范围的最低温度;在吸蜡滤纸的环内加入液态的第二蜡,并以第一转速转动衬底,从而使第二蜡由内向外流动并覆盖复合蜡区的第一蜡膜,固化第二蜡,第二蜡的熔点低于第一蜡的熔点。
公开/授权文献
- CN115985821A 晶圆键合衬底减薄方法 公开/授权日:2023-04-18
IPC分类: