本发明公开了一种由电容耦合互联得到的集成垂直器件及其制备方法：包括石墨烯场效应管、碳化硅衬底、碳化硅肖特基二极管，石墨烯场效应管和碳化硅肖特基二极管附着碳化硅衬底Si面和C面；石墨烯场效应管包括源漏电极、栅绝缘层、栅极、石墨烯沟道；碳化硅肖特基二极管包括阴极、第二阳极、第一阳极、碳化硅沟槽；利用石墨烯‑碳化硅外延体系的天然键合，分别在碳化硅衬底Si面和C面制备功能器件，碳化硅衬底作为电容，通过电容耦合直接互联得到集成垂直器件。本发明以期规避晶圆键合工艺的局限，得到同时发挥石墨烯器件及碳化硅器件本身优异性能的集成垂直器件。