本发明提供一种外延片、外延片制备方法及发光二极管，外延片包括：多量子阱层，多量子阱层包括交替堆叠的量子阱层和量子垒层，量子垒层包括依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层、第三量子垒子层、第四量子垒子层以及第五量子垒子层；第一量子垒子层为N型InGaN层、第二量子垒子层和第四量子垒子层均为非掺GaN层、第三量子垒子层为P型AlInGaN层、以及第五量子垒子层为P型InGaN层，第一量子垒子层的In组分由靠近量子阱层的一端向另一端逐渐降低，第五量子垒子层的In组分由靠近量子阱层的一端向另一端逐渐升高。本发明解决了现有技术中的外延片由于量子阱层与量子垒层晶格失配增大而导致发光效率低的问题。