本发明提供了一种压接型功率半导体器件内部结温分布测量方法及系统，本发明中的方法包括：测量获得压接型功率半导体器件中各子模组的初始接触力值、接触力波动值和初始结温值；根据各子模组的初始接触力值和接触力波动值，以及压接型功率半导体器件内部单个子模组的初始接触力值、结温波动值和接触力波动值的函数关系，得到各子模组的结温波动值；基于各子模组的结温波动值和初始结温值，得到各子模组的内部结温值；基于各子模组的内部结温值，获取压接型功率半导体器件内部结温分布。本发明适用于压接型功率半导体器件内部结温分布测量，且无需破坏压接型功率半导体器件封装结构或者打开器件封装。