本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成第一介电层，并于第一介电层内形成沟槽；于沟槽的底部、沟槽的侧壁以及第一介电层上形成第一功函数金属材料层；第一功函数金属材料层包括悬突结构，悬突结构位于沟槽侧壁的顶部边缘；去除位于第一介电层上的部分第一功函数金属材料层，以形成保留于沟槽的底部以及沟槽的侧壁的第一功函数金属层；在去除过程中，悬突结构被同时去除。从而能够避免后续填充金属栅极时形成孔洞，从而降低了形成的半导体结构的电性以及良率的损失，从而能够提高形成的半导体结构的可靠性。