发明公开
- 专利标题: 一种半导体器件及其制造方法
-
申请号: CN202211490576.1申请日: 2022-11-25
-
公开(公告)号: CN116031301A公开(公告)日: 2023-04-28
- 发明人: 张青竹 , 殷华湘 , 李恋恋 , 姚佳欣 , 曹磊 , 张亚东 , 许高博 , 张兆浩 , 刘阳 , 韩燕楚
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 王晓芬
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L21/336
摘要:
本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法,半导体器件包括衬底,设置于衬底一侧的源极,漏极和沟道结构,沟道结构位于源极和漏极之间,沟道结构包括多个纳米片形成的叠层,栅极,栅极环绕纳米片,空腔,空腔至少位于沟道结构和衬底之间,空腔由沟道结构、源极、漏极和衬底围绕形成,也就是说,沟道结构、源极和漏极下方为空腔,没有接触的膜层,构成了全浮空结构,可以大幅改善半导体器件的栅控性能,减小半导体器件亚阈值摆幅、降低漏电流和寄生电容,增加驱动电流,提高半导体器件的性能。