一种薄膜太阳能电池及其制作方法
摘要:
本申请实施例公开了一种薄膜太阳能电池及其制作方法,该薄膜太阳能电池包括:位于基板第一表面的N个透明导电层,N≥2;位于透明导电层第一区域表面的子电池层叠结构和第一电极层,以形成N个子电池,其中第i个透明导电层第一区域表面的第一电极层与第i+1个透明导电层第一区域相连;N个旁路二极管,第i个旁路二极管正极与第i个子电池负极相连,负极与第i个子电池的正极相连,第N个旁路二极管的正极与第N个子电池的负极相连,负极与第N个子电池的正极相连,即分别与N个子电池反向并联,有助于改善薄膜太阳能电池整体电流由于一个子电池或多个子电池产生缺陷或发生遮挡导致的减小的问题。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件(制造中其测试入H01L21/66;制造之后其测试入H02S50/10)
H01L31/042 ..单个光伏电池的光伏模块或者阵列(用于光伏模块的支撑结构入H02S20/00)
H01L31/044 ...包括旁路二极管的(接线盒中的旁路二极管入H02S40/34)
H01L31/0443 ....包括与器件集成或者直接相关的旁路二极管,如在作为光伏电池的同一衬底之中或者之内集成或者形成的旁路二极管
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