本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种TOPCon电池隧穿氧化层钝化接触工艺的监测方法。本发明通过特定的工艺流程监测电池生产中“隧穿氧化层钝化接触”这一工艺的稳定性，具体流程包括选用电阻率为1.2‑1.8Ω•cm的单晶原硅片、对原硅片进行抛光处理、制备隧穿氧化层钝化接触结构、进行磷掺杂、镀氮化硅减反射膜、高温烧结和Sinton测试。通过Sinton测试，根据所得硅片的理想开路电压和反向电流饱和密度即可准确监测“隧穿氧化层钝化接触”工艺的稳定性，间接缩短了电池的测试周期，避免了大批量不合格电池或低效电池的产生。