本发明实施例公开了一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺方法，对SOI片双面热氧化；在SOI片正面的绝缘层上制备粘接层和下驱动电极层；在下驱动电极层上制备压电材料层；在压电材料层上制备上驱动电极层，并剥离上驱动电极层；刻蚀压电材料层；刻蚀下驱动电极层和粘接层；刻蚀SOI片正面的绝缘层；在SOI片正面的顶硅层上制备感应电极焊盘；刻蚀SOI片正面的顶硅层；在SOI片正面旋涂保护材料；去除SOI片背面的绝缘层，并刻蚀SOI片的底硅层和埋氧层；去除SOI片正面的保护材料，得到MEMS电场传感器。本发明制备工艺简单、成本低，利于大规模生产。