本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底之上形成多个间隔排布的栅极结构；于各栅极结构的侧壁形成预侧墙；于衬底的上表层、各栅极结构的上表层以及各预侧墙的表面形成介质层，其中，介质层与衬底之间形成有缝隙；去除部分介质层，以形成侧墙结构；侧墙结构包括去除部分介质层后，保留在预侧墙的侧壁顶部的部分介质层；基于各侧墙结构对衬底的待注入区域进行离子注入；待注入区域位于各栅极结构之间的衬底内。采用本方法能够简化离子注入的工艺流程。