半导体器件

发明公开

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专利标题： 半导体器件
申请号： CN202211315368.8

申请日： 2022-10-25
公开(公告)号： CN116072670A

公开(公告)日： 2023-05-05
发明人: 成田幸辉
申请人： 瑞萨电子株式会社
申请人地址： 日本东京都
专利权人： 瑞萨电子株式会社
当前专利权人： 瑞萨电子株式会社
当前专利权人地址： 日本东京都
代理机构： 北京市金杜律师事务所
代理商 张宁
优先权： 2021-177319 20211029 JP
主分类号： H01L27/02
IPC分类号： H01L27/02

摘要：

本公开涉及一种半导体器件。抑制了半导体器件的ESD施加期间的内部元件的击穿。当静电被施加到I/O信号焊盘时，由静电保护机构形成放电路径。栅极开关电路被布置为对应于要被保护的晶体管，所述晶体管具有被电连接至所述I/O信号焊盘的漏极。当所述放电路径在向所述I/O信号焊盘的所述静电施加时形成时，所述栅极开关电路将要被保护的所述晶体管的栅极电连接至第一节点，所述第一节点具有比I/O GND线的电位高的电位。

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L23/00，H01L29/00至H01L51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L25/00）
H01L27/02	.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的