发明授权
- 专利标题: 确定集成电路IC的层的性质的方法
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申请号: CN202310153916.X申请日: 2016-11-02
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公开(公告)号: CN116106352B公开(公告)日: 2023-12-19
- 发明人: 李维迪 , 希瑟·波伊斯 , 马克·克拉雷 , 科尔内尔·博兹多格
- 申请人: 诺威量测设备公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 诺威量测设备公司
- 当前专利权人: 诺威量测设备公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 刘瑞贤
- 优先权: 62/249,845 2015.11.02 US
- 主分类号: G01N23/2273
- IPC分类号: G01N23/2273 ; H01L21/66 ; G01N23/223 ; G01N23/2208 ; G01B11/06 ; G01B15/02
摘要:
本申请公开了确定集成电路IC的层的性质的方法。通过执行下列步骤实现确定集成电路(IC)的层的性质,层形成在底层之上:照射IC,由此从IC发射电子;采集从IC发射的电子并且确定发射电子的动能,由此计算从层发射的电子和从底层发射的电子的发射强度,从而计算从层发射的电子与从底层发射的电子的发射强度的比率;并且使用比率确定层的材料组分或厚度。使用x射线光电子能谱法(XPS)或x射线荧光光谱法(XPF)可以执行照射IC并且采集电子的步骤。
公开/授权文献
- CN116106352A 确定集成电路IC的层的性质的方法 公开/授权日:2023-05-12