本发明公开了一种集成振荡抑制电路的功率模块及方法，所述功率模块包括SiC MOSFET管Q1、SiC MOSFET管Q2、第一过压抑制单元、第二过压抑制单元、耦合电路、负载端子、DC‑端子以及DC+端子；耦合电路是由电阻Rc与电感Lc构成的回路，电感Lc包括磁芯以及绕制在磁芯上的线圈，磁芯还与DC+端子、或DC+端子和DC‑端子通过电磁感应产生虚拟电感Lv。本发明通过引入的虚拟电感增加直流母线的寄生电感，实现了SiC MOSFET管的零电压开通，降低了开关损耗，提高了振荡抑制效果；同时，利用过压抑制单元有效抑制了SiC MOSFET管关断过程中的过电压。