- 专利标题: 一种高填料超薄聚四氟乙烯基复合介质基片制备方法
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申请号: CN202211471225.6申请日: 2022-11-23
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公开(公告)号: CN116178782A公开(公告)日: 2023-05-30
- 发明人: 金霞 , 李强 , 贾倩倩 , 武聪 , 张立欣 , 王丽婧 , 窦瑛 , 冯贝贝 , 韩伏龙
- 申请人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 申请人地址: 天津市河西区洞庭路26号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 当前专利权人地址: 天津市河西区洞庭路26号
- 代理机构: 天津中环专利商标代理有限公司
- 代理商 李美英
- 主分类号: C08J9/36
- IPC分类号: C08J9/36 ; C08J9/12 ; C08L27/18 ; C08K3/00 ; C09D183/04 ; C09D7/63
摘要:
本发明涉及一种高填料超薄聚四氟乙烯基复合介质基片制备方法,按重量比将51%~75%的陶瓷粉、15%~25%的聚四氟乙烯乳液、1%~13%的纤维,8%~19%的去离子水混合搅拌得到复合浆料,再加入占复合浆料重量比为5%~15%的絮凝剂,搅拌15min~30min,滤水,得到面团状的高填料PTFE复合湿料,经过常温压延、超临界干燥、雾化喷涂浸润剂、大压力压延技术、高温烘干,将高填料PTFE复合湿料制得高填料超薄PTFE基复合介质基片,大幅度提高高填料超薄PTFE基复合基片的厚度均匀性,避免了大量润滑剂在介质基片加工成基板的过程中出现氧化、变黑、形成气孔,继而引起材料的损耗大、吸水率大等一系列问题。
公开/授权文献
- CN116178782B 一种高填料超薄聚四氟乙烯基复合介质基片制备方法 公开/授权日:2023-08-22