发明公开
- 专利标题: 一种抗干扰磁阻多层膜标定系统及其标定方法
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申请号: CN202310097644.6申请日: 2023-01-19
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公开(公告)号: CN116184292A公开(公告)日: 2023-05-30
- 发明人: 钱森 , 陈川 , 黄辉 , 邓辉 , 司文荣 , 刘召杰
- 申请人: 国网智能电网研究院有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 专利权人: 国网智能电网研究院有限公司,国网上海市电力公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人: 国网智能电网研究院有限公司,国网上海市电力公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 李静玉
- 主分类号: G01R35/00
- IPC分类号: G01R35/00 ; G01R35/02
摘要:
本发明公开了一种抗干扰磁阻多层膜标定系统及其标定方法,该系统包括:两个三维亥姆霍兹线圈、三轴磁通门磁强计、转换电路以及控制装置;控制装置检测到三轴磁通门磁强计输出的反馈电压为零时,激励第二三维亥姆霍兹线圈产生激励磁场,采集待测磁阻多层膜在激励磁场下的输出电压,进行标定。通过嵌套两个三维亥姆霍兹线圈,并利用高灵敏度的磁通门磁强计监测地磁场干扰,通过第一三维亥姆霍兹线圈提供负反馈磁场抵消地磁场的干扰。通过第二三维亥姆霍兹线圈提供激励磁场,测试标定待测的磁阻多层膜。还可以从任意方向抵消外界地磁场的干扰,避免磁屏蔽筒的轴向屏蔽效果差的缺陷,且无需建设大型磁屏蔽室即可实现高灵敏度磁阻多层膜的标定。