本发明公开了一种氧化镓基调制掺杂高迁移率顶栅晶体管，包括衬底、半导体InGaZnO合金能带、IGZO调制掺杂沟道、复合氧化物栅极、栅极、源极、漏极、绝缘层；所述的衬底、半导体InGaZnO合金能带、IGZO调制掺杂沟道由下到上依次设置；所述的复合氧化物栅极、栅极设置在IGZO调制掺杂沟道的顶部，且位于中间位置；所述的绝缘层设置IGZO调制掺杂沟道的顶部，且覆盖所述的复合氧化物栅极、栅极；所述的栅极的顶部设有延伸出复合氧化物栅极的栅极接触电极；所述的漏极、源极分别设置在复合氧化物栅极的两侧，且均镶嵌在绝缘层中；所述的漏极、源极的底部均与IGZO调制掺杂沟道的顶部连接；所述的漏极、源极的顶部延伸出绝缘层。本发明具有迁移率高、寄生电容小的优势，有效提升高清薄膜晶体管芯片的工作性能。