发明公开
- 专利标题: 高边自举升压双N-MOS管充电控制方法、电路及充电器
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申请号: CN202310223879.5申请日: 2023-03-09
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公开(公告)号: CN116191618A公开(公告)日: 2023-05-30
- 发明人: 曹雄华 , 刘巍 , 谢庆生 , 周明亮 , 李统成 , 肖铿
- 申请人: 惠州市可立克科技有限公司 , 惠州市可立克电子有限公司 , 深圳可立克科技股份有限公司 , 信丰可立克科技有限公司 , 安远县美景电子有限公司 , 安徽可立克科技有限公司
- 申请人地址: 广东省惠州市仲恺高新区东江高新科技产业园(东江高新技术产业园东兴片区兴德西路2号); ; ; ; ;
- 专利权人: 惠州市可立克科技有限公司,惠州市可立克电子有限公司,深圳可立克科技股份有限公司,信丰可立克科技有限公司,安远县美景电子有限公司,安徽可立克科技有限公司
- 当前专利权人: 惠州市可立克科技有限公司,惠州市可立克电子有限公司,深圳可立克科技股份有限公司,信丰可立克科技有限公司,安远县美景电子有限公司,安徽可立克科技有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省惠州市仲恺高新区东江高新科技产业园(东江高新技术产业园东兴片区兴德西路2号); ; ; ; ;
- 代理机构: 深圳新创友知识产权代理有限公司
- 代理商 江耀锋
- 主分类号: H02J7/00
- IPC分类号: H02J7/00 ; H01M10/44
摘要:
本发明公开了一种高边自举升压双N‑MOS管充电控制方法、电路及充电器,所述高边自举升压双N‑MOS管充电控制电路,包括主电源充电输出端口、高边自举升压电路、高边双N‑MOS管电路和MCU_PWM驱动电路,利用所述高边双N‑MOS管电路进行充电,当所述MCU_PWM驱动电路的输出为非PWM信号时,所述高边双N‑MOS管电路自动关闭。本发明的技术方案,可在带MCU的智能充电设备中,使用MCU的PWM驱动配合常规高边N‑MOS管做为充电控制开关取代传统的PMOS控制电路,实现电源与电池组的高边隔离充电控制,可使得电路选型设计便利,安全可靠性高,可显著降低设计成本。此外,当MCU遭到破坏时,还具备及时隔离充电器和电池、防止电流倒灌从而可靠地实现电路异常保护的额外优势。