高边自举升压双N-MOS管充电控制方法、电路及充电器
摘要:
本发明公开了一种高边自举升压双N‑MOS管充电控制方法、电路及充电器,所述高边自举升压双N‑MOS管充电控制电路,包括主电源充电输出端口、高边自举升压电路、高边双N‑MOS管电路和MCU_PWM驱动电路,利用所述高边双N‑MOS管电路进行充电,当所述MCU_PWM驱动电路的输出为非PWM信号时,所述高边双N‑MOS管电路自动关闭。本发明的技术方案,可在带MCU的智能充电设备中,使用MCU的PWM驱动配合常规高边N‑MOS管做为充电控制开关取代传统的PMOS控制电路,实现电源与电池组的高边隔离充电控制,可使得电路选型设计便利,安全可靠性高,可显著降低设计成本。此外,当MCU遭到破坏时,还具备及时隔离充电器和电池、防止电流倒灌从而可靠地实现电路异常保护的额外优势。
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