Invention Grant
- Patent Title: 基于六方氮化硼-黑磷多层异质结的近场热辐射调制方法
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Application No.: CN202310514714.3Application Date: 2023-05-09
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Publication No.: CN116224626BPublication Date: 2023-07-25
- Inventor: 宋金霖 , 陈磊 , 洪汉玉 , 姚贞建 , 陈登 , 张良纯 , 纪亚玲
- Applicant: 武汉工程大学 , 应城市新都化工有限责任公司
- Applicant Address: 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷一路206号;
- Assignee: 武汉工程大学,应城市新都化工有限责任公司
- Current Assignee: 武汉工程大学,应城市新都化工有限责任公司
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷一路206号;
- Agency: 武汉智嘉联合知识产权代理事务所
- Agent 黄君军
- Main IPC: G02F1/00
- IPC: G02F1/00
Abstract:
本发明涉及一种基于六方氮化硼‑黑磷多层异质结的近场热辐射调制方法,所述结构为平行且对称设置的平板结构,所述平板由六方氮化硼层和黑磷层交替形成,通过改变黑磷的电子掺杂和六方氮化硼‑黑磷多层异质结的层数,使六方氮化硼双曲线模式和黑磷表面等离子体频率发生耦合和解耦合,导致六方氮化硼‑黑磷多层异质结间的倏逝波耦合发生相应变化,从而实现红外波段近场热辐射的调制。本发明提供的基于六方氮化硼‑黑磷多层异质结的近场热辐射调制方法改变了红外波段的近场辐射传热。
Public/Granted literature
- CN116224626A 基于六方氮化硼-黑磷多层异质结的近场热辐射调制方法 Public/Granted day:2023-06-06
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