- 专利标题： 一种石墨烯包覆的电子化合物制备方法及薄膜制备方法
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申请号： CN202310267684.0申请日： 2023-03-20
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公开(公告)号： CN116253558B公开(公告)日： 2024-02-13
- 发明人: 卿笃安 , 尹金德 , 黎年赐 , 卡里姆·可汗 , 卿添
- 申请人： 深圳市诺安智能股份有限公司
- 申请人地址： 广东省深圳市光明区凤凰街道凤凰社区侨凯路459号C1栋1301、1401、1501、1601
- 专利权人： 深圳市诺安智能股份有限公司
- 当前专利权人： 深圳市诺安智能股份有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市光明区凤凰街道凤凰社区侨凯路459号C1栋1301、1401、1501、1601
- 代理机构： 深圳市远航专利商标事务所
- 代理商 田志远; 张朝阳
- 主分类号： C04B35/057
- IPC分类号： C04B35/057 ; C04B35/622 ; C04B35/628 ; C04B35/626 ; C23C14/35 ; C23C14/06
摘要：
本发明公开了一种石墨烯包覆的电子化合物制备方法，石墨烯包覆的电子化合物制备方法步骤如下：(1)称取Ca源和Al源的化合物，混合Ca源和Al源，获得混合物；(2)将所述混合物置入有机溶剂内，搅拌使所述混合物充分与所述有机溶剂混合均匀，获得澄清透明溶液(3)将透明溶液置入到高压反应容器内，并将所述高压反应容器置于坩埚炉中，400‑700℃高温加热一段时间。本发明采用低温水热法，一步高能量反应即可制备出具有石墨烯包覆的电子化合物即C12A7:e‑导电材料，导电率可达到500S/cm，载流子浓度可达
公开/授权文献
- CN116253558A 一种石墨烯包覆的电子化合物制备方法及薄膜制备方法 公开/授权日：2023-06-13
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