- 专利标题: 一种利用自蔓延辅助固溶体掺杂技术制备(Hf,Ta)B2-MoSi2阻氧涂层的方法
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申请号: CN202310007731.8申请日: 2023-01-04
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公开(公告)号: CN116253569B公开(公告)日: 2023-12-01
- 发明人: 吉祥 , 任宣儒 , 王佩佩 , 王乐雨 , 石大林 , 陈家平 , 赵艳丽 , 姜朝
- 申请人: 河南省科学院碳基复合材料研究院
- 申请人地址: 河南省郑州市郑东新区明理路西崇德街南国家技术转移郑州中心
- 专利权人: 河南省科学院碳基复合材料研究院
- 当前专利权人: 河南省科学院碳基复合材料研究院
- 当前专利权人地址: 河南省郑州市郑东新区明理路西崇德街南国家技术转移郑州中心
- 代理机构: 北京博识智信专利代理事务所
- 代理商 孙炎
- 主分类号: C04B35/58
- IPC分类号: C04B35/58 ; B05D5/00 ; B05D7/24 ; C04B35/622 ; C04B35/626
摘要:
本发明公开了一种利用自蔓延辅助固溶体掺杂技术制备(Hf,Ta)B2‑MoSi2阻氧涂层的方法,包括称取钽、铪、硼单质粉原料,通过自蔓延反应制备(Hf,Ta)B2固溶粉体;按配比称取(Hf,Ta)B2固溶粉体与商业粉MoSi2并进行二维混料;将混合粉体填充进石墨模具中,并均匀包裹清洗好的碳材料基体,放入放电等离子烧结炉中进行烧结;烧结完毕打磨后得到(Hf,Ta)B2‑MoSi2阻氧涂层;本发明克服了现有(Hf,Ta)B2‑MoSi2阻氧涂层制备方法存在的原料粉反应温度高、保温时间长、涂层制备复杂、制备周期长,阻氧防护温区有待提高等问题,具有瞬时点然自蔓延反应的特点,以及降低反应温度、缩短反应时间、简化涂层整体制备流程等优势,并可有效提高(Hf,Ta)B2‑MoSi2粉体的烧结活性,促进阻氧涂层致密化烧结,具有提升阻氧涂层的抗氧化性能的效果。
公开/授权文献
- CN116253569A 一种利用自蔓延辅助固溶体掺杂技术制备(Hf,Ta)B2-MoSi2阻氧涂层的方法 公开/授权日:2023-06-13
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