Invention Grant
- Patent Title: 一种氮掺杂空心缺陷碳球及其制备方法与应用
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Application No.: CN202310159767.8Application Date: 2023-02-23
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Publication No.: CN116281941BPublication Date: 2023-12-12
- Inventor: 姚卫棠 , 马文杰 , 余礼涛 , 苗小强 , 张从芬 , 孔清泉 , 安旭光 , 张靖
- Applicant: 成都大学
- Applicant Address: 四川省成都市外东十陵镇
- Assignee: 成都大学
- Current Assignee: 成都大学
- Current Assignee Address: 四川省成都市外东十陵镇
- Agency: 北京正华智诚专利代理事务所
- Agent 吕春艳
- Main IPC: C01B32/05
- IPC: C01B32/05 ; H01M4/583 ; H01M10/054
Abstract:
本发明公开了一种氮掺杂空心缺陷碳球及其制备方法与应用,属于钠离子电池负极材料制备技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤:步骤1)采用自组装法制备模板三聚氰胺‑甲醛树脂球;2)对所制备的MF球通过盐酸多巴胺进行包覆,并加入1,3,5‑三甲苯以及三嵌段共聚物F127形成胶束,随后在碱性条件下诱导其胶束自组装与于模板上;3)用酒精清洗产物以在表面形成缺陷;4)对所制备的MF@MMPDA缺陷球进行热处理使MF球在高温下分解获得氮掺杂空心缺陷碳球。本发明的配方简单,操作简便,重复性好,产物高纯,稳定性良好,环境友好,做为负极材料具有高容量的优点。
Public/Granted literature
- CN116281941A 一种氮掺杂空心缺陷碳球及其制备方法与应用 Public/Granted day:2023-06-23
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