本发明属于有色金属冶金技术领域，具体涉及一种羟基氧化镓煅烧制备颗粒尺寸均一纳米级氧化镓的方法，本发明提供的羟基氧化镓煅烧制备颗粒尺寸均一纳米级氧化镓的方法设计科学合理，采用无机盐溶液对羟基氧化镓前驱体进行预处理，然后对其高温煅烧制备纳米级β‑Ga2O3粉体材料。本发明技术方案具有操作简单、对设备要求低、成本低等特点，可有效抑制煅烧过程中颗粒的团聚、长大、失去表面活性等问题，可以制备出颗粒尺寸和微观形貌均一的纳米级β‑Ga2O3粉体材料。