发明授权
- 专利标题： 一种半导体废水处理方法及系统
-
申请号： CN202310232291.6申请日： 2023-03-06
-
公开(公告)号： CN116282699B公开(公告)日： 2023-12-05
- 发明人: 冷超群 , 李红 , 李进 , 顾磊 , 吴德明 , 施卓
- 申请人： 武汉天源环保股份有限公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市汉南区纱帽街薇湖西路392号
- 专利权人： 武汉天源环保股份有限公司
- 当前专利权人： 武汉天源环保股份有限公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市汉南区纱帽街薇湖西路392号
- 代理机构： 武汉智嘉联合知识产权代理事务所
- 代理商 张杰
- 主分类号： C02F9/00
- IPC分类号： C02F9/00 ; C02F103/34 ; C02F101/10 ; C02F101/20 ; C02F101/14 ; C02F101/30 ; C02F101/16 ; C02F1/44 ; C02F1/76 ; C02F1/52 ; C02F1/66 ; C02F1/00 ; C02F3/12
摘要：
本发明公开了一种半导体废水处理方法及系统。该半导体废水处理方法包括：分类收集：将半导体废水分为酸性废水、碱性废水、含氟废水、含砷废水和有机废水进行收集；分质预处理：中和酸性废水和碱性废水，去除含砷废水中的三价砷和单质磷，去除含氟废水中的氟离子；MBR膜处理：将分质预处理后的酸性废水、碱性废水、含砷废水、含氟废水和有机废水进入MBR膜生物反应器，初步去除废水中的污染物；RO分离净化：将经MBR膜生物反应器处理后的废水进入RO分离净化器，去除废水中残余的杂质，得到干净的回收水。本发明先将各种废水进行分质预处理，实现各类(56)对比文件张爱华等《.环境汞砷污染与健康》.湖北科学技术出版社,2019,255.朱加豆等.三星半导体公司闪存芯片生产废水处理工程《.中国给水排水》.2018,第34卷(第10期),105-109.
公开/授权文献
- CN116282699A 一种半导体废水处理方法及系统 公开/授权日：2023-06-23
