本发明公开了一种MoS2‑Pd氢敏材料及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：在基体上生长MoS2薄膜；制备导电基底；将基体上的MoS2薄膜转移至导电基底上，得到负载有MoS2薄膜的导电基底；配制氯化钯盐酸溶液作为电镀液；将负载有MoS2薄膜的导电基底浸入电镀液中，在恒电位下进行电化学沉积后，再浸入去离子水中去除残留电镀液，即得所述MoS2‑Pd氢敏材料。本发明中采用电化学沉积方法将Pd纳米颗粒沉积在MoS2薄膜上，Pd纳米颗粒与MoS2薄膜之间作用力强，可以克服Pd在吸氢、释氢过程中的易脱落问题；且整个制备过程绿色无污染、且无损。