发明公开
- 专利标题: 一种抑制自热效应的氮化镓器件及其制备方法
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申请号: CN202310280147.X申请日: 2023-03-21
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公开(公告)号: CN116314268A公开(公告)日: 2023-06-23
- 发明人: 曹艳荣 , 吕航航 , 马毛旦 , 王志恒 , 张新祥 , 陈川 , 吴琳姗 , 许晟瑞 , 吕玲 , 郑雪峰 , 马晓华 , 郝跃
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 王萌
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/20 ; H01L29/201 ; H01L29/41 ; H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L23/367 ; H01L23/373
摘要:
本发明公开了一种抑制自热效应的氮化镓器件,包括:金刚石衬底、石墨烯层、氮化镓缓冲层、P型氮化镓层、铝镓氮势垒层、钝化层、金刚石散热层、漏极、栅极和源极;金刚石衬底、石墨烯层和氮化镓缓冲层由下至上依次设置;漏极和源极分别位于氮化镓缓冲层上;铝镓氮势垒层位于漏极和源极之间;钝化层位于铝镓氮势垒层的表面;栅极下端穿过钝化层与铝镓氮势垒层接触;P型氮化镓层位于氮化镓缓冲层内部;金刚石散热层位于钝化层的表面。本发明还提供一种抑制自热效应的氮化镓器件的制备方法,本发明从提高器件散热能力和调制栅漏电场两个维度来抑制器件的自热效应,因此可较大程度的降低器件温度、抑制自热效应、改善器件因升温而造成的性能退化。