本发明公开了一种用于量子点无损光刻图案化的方法及其荧光色转换层和Micro‑LED全彩化器件。本发明方法利用原子层沉积技术，在量子点发光层表面沉积抗蚀保护层，可有效提高量子点发光层的光电性能和环境稳定性，避免后序因光刻技术和刻蚀技术对量子点发光层造成不必要的损伤。利用本发明方法制备的高性能荧光色转换层，与Micro‑LED发光芯片阵列相结合，实现性能优异的Micro‑LED全彩化器件。该技术方案要求简单、技术难度低、制备速度快、基底选择多样性，且有利于大规模生产与制造。此外，所制备的荧光色转换层对外界环境变化(光照、湿度、温度等)具有优异的稳定性，可大大提高器件的使用寿命。