本发明提出了一种GaN基激光二极管及其制作方法，所述GaN基激光二极管包括自上至下依次设置的P‑GaN层、P‑Cladding层、P‑波导层、量子阱、N‑波导层、N‑Cladding层和N‑GaN层，所述P‑GaN层位于所述P‑Cladding层中间部位并形成脊状结构，且所述脊状结构的宽度小于所述P‑Cladding层的宽度，所述P‑Cladding层上位于所述脊状结构周边区域设置有绝缘层，所述脊状结构与所述绝缘层的接触面开设有开口朝上的孔洞，所述脊状结构和孔洞上设置有导电层，所述P电极设置在所述导电层上，所述N电极设置在所述N‑GaN层上。本发明所提出的GaN基激光二极管能够形成更高的光限制效果，以满足更高的使用需求。