- 专利标题: 一种高Qm的<111>取向四元织构陶瓷及其三步烧结制备方法
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申请号: CN202310132060.8申请日: 2023-02-19
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公开(公告)号: CN116332642B公开(公告)日: 2024-06-28
- 发明人: 刘迎春 , 施文明 , 张洪军 , 于思源 , 杨彬
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 上海天知澜知识产权代理有限公司
- 代理商 李龙
- 主分类号: C04B35/493
- IPC分类号: C04B35/493 ; C04B35/472 ; C04B35/622 ; C04B41/88 ; H10N30/853 ; H10N30/097
摘要:
本发明提供一种高Qm的 取向四元织构陶瓷及其三步烧结制备方法,属于压铁电材料领域,该织构陶瓷的化学通式为(0.36‑x)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3‑xPb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.64Pb(ZryTi1‑y)O3‑avol.% BaTiO3,具体制备方法:一、制备四元铅基陶瓷纳米细晶基体粉体;二、采用模板晶粒定向生长技术制备四元铅基织构陶瓷素坯;三、制备高机械品质因数Qm的四元铅基织构陶瓷。本发明制备高机械品质因数的 取向四元织构陶瓷的机械品质因数Qm要高于四元铅基未织构压电陶瓷。以解决现有技术下 取向四元复杂铅基织构陶瓷体系难以制备烧结,机械品质因数Qm低的问题。
公开/授权文献
- CN116332642A 一种高Qm的<111>取向四元织构陶瓷及其三步烧结制备方法 公开/授权日:2023-06-27
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